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【TechWeb】11月23日消息，內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布出貨適用于數(shù)據(jù)中心并已通過(guò)AMD 全新EPYC? （霄龍） 9004 系列處理器驗(yàn)證的 DDR5 內(nèi)存。隨著現(xiàn)代服務(wù)器配備更多處理內(nèi)核的CPU，其單個(gè)CPU內(nèi)核的內(nèi)存帶寬在不斷下降。為緩解這一瓶頸，美光 DDR5 提供比前幾代產(chǎn)品更高的帶寬，從而提升可靠性和可擴(kuò)展性。第四代 AMD EPYC 處理器與美光 DDR5 的強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，使內(nèi)存帶寬在 STREAM 基準(zhǔn)測(cè)試中翻倍，并在特定的高性能計(jì)算 （HPC）工作負(fù)載中將性能提升 2 倍，例如計(jì)算流體動(dòng)力學(xué)（OpenFOAM）、天氣研究與預(yù)報(bào)（WRF）建模和 CP2K 分子動(dòng)力學(xué)。

在STREAM基準(zhǔn)性能測(cè)試中，美光將第四代AMD EPYC 處理器系統(tǒng)搭配美光 DDR5（4800 MT/s）組合與第三代 AMD EPYC 處理器系統(tǒng)和美光DDR4（3200 MT/s）組合進(jìn)行了對(duì)比。在第四代 AMD EPYC 處理器系統(tǒng)加持下，美光 DDR5實(shí)現(xiàn)了每插槽 378 GB/s 的峰值內(nèi)存帶寬，而搭配第三代 AMD EPYC 處理器系統(tǒng)的DDR4峰值內(nèi)存帶寬僅為 189 GB/s。測(cè)試顯示系統(tǒng)內(nèi)存帶寬提升了兩倍。

美光攜手 AMD 評(píng)估了第三代 AMD EPYC 處理器搭配美光 DDR4 組合對(duì)比第四代 AMD EPYC 處理器搭配美光 DDR5組合在三種高性能計(jì)算工作負(fù)載（OpenFOAM、WRF和CP2K）中的表現(xiàn)。第四代 AMD EPYC 處理器平臺(tái)搭配美光 DDR5 組合將 OpenFOAM 性能提高了 2.4 倍，WRF性能提高了 2.1 倍，CP2K性能提高了 2.03 倍。

美光在 JEDEC 制定 DDR5 內(nèi)存規(guī)范的過(guò)程中發(fā)揮了關(guān)鍵作用，同時(shí)也是最早向客戶出樣 DDR5 的廠商之一。美光的技術(shù)賦能計(jì)劃（TEP）是業(yè)內(nèi)首個(gè)同類計(jì)劃，幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員盡早獲得關(guān)鍵的內(nèi)部資源，從而協(xié)助他們進(jìn)行 DDR5 的驗(yàn)證和認(rèn)證。美光致力于在整個(gè)生態(tài)系統(tǒng)中開(kāi)展合作，并將持續(xù)在領(lǐng)先的技術(shù)和產(chǎn)品路線圖上進(jìn)行投入。