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去年三星開始提供業(yè)界首款速率為 24 Gbps 的 16Gb（2GB）GDDR6 內(nèi)存模塊，其基于三星 10nm 級別的 1z 工藝，采用了創(chuàng)新的電路設(shè)計、先進的絕緣材料（HKMG）和極紫外（EUV）技術(shù)，搭載的動態(tài)電壓開關(guān)（DVS）技術(shù)可根據(jù)性能要求調(diào)整工作電壓，將電源效率提高了 20%，旨在提升下一代顯卡、筆記本電腦和游戲主機的圖形性能，同時也可以用在基于人工智能的應用程序和高性能（HPC）系統(tǒng)。

根據(jù) Hassan Mujtaba 的報告，Rambus 預計更快的 GDDR6 將會在今年年底前投入生產(chǎn)，速率將達到 24 Gbps。

一直以來，GDDR6X 相比 GDDR6 都有著更高的速率，美光去年已開始量產(chǎn)速率為 24 Gbps 的 GDDR6X，容量為 16Gb 模塊。目前 GeForce RTX 4080 上采用的 GDDR6X 顯存為 MT61K512M32KPA-24，額定速率本身應該是 24 Gbps，但被設(shè)定在 22.4 Gbps。

隨著 GDDR6 的速率也達到 24 Gbps，AMD 可能會因此而受益，出現(xiàn)在 Radeon RX 7x50 系列上。不知道隨著 GDDR6 速率趕上來，英偉達會不會更廣泛地在產(chǎn)品上采用。不過美光曾表示，在 GDDR6X 中對 PAM4 信號傳輸技術(shù)方面的創(chuàng)新使其比其他 GDDR6 產(chǎn)品更加節(jié)能。

相比于三星和美光，SK 海力士似乎將重心放在 HBM 類存儲芯片上，旗下目前僅提供速率為 20 Gbps 的 GDDR6。