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資訊:Xperia 1V 首發(fā)索尼黑科技 CMOS 傳感器 能打破 1 英寸大底迷信么?

2023-07-06 16:24:06來源:ZAKER科技  


(資料圖)

在 5 月初,索尼推出了新一代旗艦手機(jī) Xperia 1V,它主攝像頭首次搭載了雙層晶體管像素堆疊式 CMOS 圖像傳感器 IMX888,黑科技滿滿。可惜的是索尼手機(jī)人氣實(shí)在擔(dān)不起宣傳新技術(shù)重任,人氣完全壓不住國內(nèi)一臺又一臺的 1 英寸底新機(jī)。不過近日 TechInsights 發(fā)表了關(guān)于雙層晶體管像素技術(shù)曝光,加上 Xperia1 V 上市,讓我們可以更深入了解這一技術(shù)。

技術(shù)原理

其實(shí)雙層晶體管像素技術(shù)誕生遠(yuǎn)遠(yuǎn)早于 Xperia 1V,在 2021 年 12 月 11 日舉辦的 IEEE 國際電子設(shè)備會議上索尼已宣布了這一技術(shù)。按照索尼官方說法,該技術(shù)能夠?qū)?" 飽和信號量約提升至原來的 2 倍,擴(kuò)大了動態(tài)范圍并降低噪點(diǎn),從而顯著提高成像性能 "。

在過去 10 多年時間里,索尼一直是 CMOS 圖像傳感器技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者,先是用銅互連技術(shù)代替鋁互聯(lián)技術(shù),大大降低傳感器的功耗與發(fā)熱量,接著是 BSI 代替 FSI,讓傳感器獲得更高的量子效率,沖擊更高的感光度,堆棧式結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了傳感器集成大規(guī)模數(shù)字電路,大大提高傳感器讀取速度,新的雙層晶體管像素技術(shù)可以視為堆棧式結(jié)構(gòu)的進(jìn)化。

雖然手機(jī) CMOS 傳感器越做越大,比如說國產(chǎn)安卓旗艦手機(jī)已經(jīng)普及了 1 英寸傳感器——索尼 IMX989,但是相比可換鏡頭相機(jī),1 英寸依然很小,而且手機(jī)傳感器像素高,50MP 的 IMX989 即使像素四合一后,像素尺寸不過 3.22 μ m。因此單個像素大小儼然是制約手機(jī)畫質(zhì)的關(guān)鍵因素,要想提升畫質(zhì),用大傳感器換取大像素最有效辦法,不過在使用 1 英寸傳感器后手機(jī)厚度已大幅度增加,繼續(xù)增大傳感器尺寸真得成板磚了,而雙層晶體管像素正是一項(xiàng)不增加傳感器大小又能增加像素大小的技術(shù)。

CMOS 傳感器的像素是一個復(fù)雜結(jié)構(gòu),由多個部分組成,雙層晶體管像素是負(fù)責(zé)光電轉(zhuǎn)換的光電二極管與控制信號的像素晶體管分離到不同硅片,這樣位于第一層硅片的光電二極管得以占據(jù)像素晶體管空間,在相同時間內(nèi)能夠把更多光子轉(zhuǎn)換成電子,用房產(chǎn)的術(shù)語描述就是 " 得房率 " 更高了,畫質(zhì)自然更好。

不過光電二極管和像素晶體管分離只是第一步,由于第二層硅片不用放置光電二極管,不但容納了除了像素晶體管之外的像素晶體管(包含復(fù)位晶體管、選擇晶體管和放大晶體管),而且擁有更多空間放置大尺寸放大晶體管,也就是獲得一個更強(qiáng)勁的 ADC,這個 ADC 既可以用于提升傳感器讀取深度,也能用于提升畫質(zhì)。雙層晶體管像素技術(shù)聽起來非常美好,可是如何實(shí)現(xiàn)呢,TechInsights 報(bào)告正好為我們揭示它是如何做出來的。TechInsights 拆解、分析了索尼 Xperia 1V 上的 IMX888,傳感器的大小為 11.37 x 7.69mmm,總像素為 4800 萬,單個像素間距為 1.12 m ,每一個像素都采用左右光電二極管分列的結(jié)構(gòu),以實(shí)現(xiàn) PDAF 對焦。整塊傳感器共有三片硅片構(gòu)成,從微透鏡方向數(shù)起(圖中從下向上),分別是第一層 CIS(CMOS Image Sensor)、第二層 CIS 以及 ISP,其中第二層 CIS 與 ISP 之間通過最新的 DBI CU 連接起來(Direct Bond Interconnect CU,銅直接鍵合技術(shù)),不過兩層 CIS 是通過更為傳統(tǒng)的 TSV(Through Silicon Via,硅通孔技術(shù))互聯(lián)。下圖是兩層 CIS 連接面的特寫,能夠清晰看到第二層 CIS 通過金屬觸點(diǎn)與第一層傳輸控制晶體管(TG)相連接,傳輸控制晶體管是少數(shù)保留在第一層 CIS 的像素晶體管。而且 DTI(Deep Trench Isolation,深溝隔離)深度進(jìn)一步加深,幫助更多光子進(jìn)入了光電二極管。換一個角度觀察,黃色方框是單個像素,可以清楚看到它由兩個子像素組成(雙光電二極管 PDL 與 PDR),在像素晶體管放置到第二層 CIS 后,光電二極管能夠獲得更大的空間。畫質(zhì)對比

為了驗(yàn)證雙層晶體管像素技術(shù)畫質(zhì)表現(xiàn),我們挑選搭載 1 英寸傳感器 IMX989 的小米 13 Ultra 與 Xperia 1V 做對比,機(jī)器固定在三腳架上,在中等照度下拍攝,均使用 RAW 格式拍攝(小米設(shè)置為 Ultra RAW),12MP 分辨率,感光度為 ISO 400,后期使用 Lightroom 解碼。

需要特別說明的是,Xperia 1V 的 RAW 大小會鎖定在 22.9MB,小米 13 Ultra 會因感光度變化,RAW 大小會在 12MB 上下浮動,在關(guān)閉 Lightroom 所有降噪處理后,畫面依然很干凈,幾乎沒有彩色噪點(diǎn),表現(xiàn)比全畫幅傳感器還好,可以 100% 肯定小米 13 Ultra 的 RAW 是經(jīng)過 " 調(diào)味 " 的。因此我們不僅對比在關(guān)閉 Lightroom 銳化、降噪后兩款機(jī)器畫質(zhì)差異,還要開啟 AI 降噪 + 增強(qiáng)細(xì)節(jié)功能,深挖兩款機(jī)器的畫質(zhì)差異,看看雙層晶體管像素技術(shù)能有多神。

在關(guān)閉銳化、降噪后,小米 13 Ultra 畫面看起來更為干凈,不過在細(xì)節(jié)表現(xiàn)和差異不大 Xperia 1V。

左:Xperia 1V,右:小米 13 Ultra,下圖分別是畫面中心與邊角 100% 裁切

在使用 AI 降噪 + 增強(qiáng)細(xì)節(jié),Xperia 1V 明顯拉開了差距,畫面同樣干凈,而且細(xì)節(jié)更為豐富真實(shí),如果你把照片放大 200% 觀看時能更明顯感受到 Xperia 1V 細(xì)節(jié)上的優(yōu)勢,而小米 13 Ultra 在 AI 功能加持下畫質(zhì)近乎沒有提升,在強(qiáng)大的算力支持雙層晶體管像素技術(shù)足以讓小底匹敵甚至超越大底。

左:Xperia 1V,右:小米 13 Ultra,上方是關(guān)閉銳化、降噪時 100% 裁切,下圖是使用 AI 降噪 + 增強(qiáng)細(xì)節(jié)得 100% 裁切

結(jié)語:好技術(shù) 難普及

無論是從理論還是實(shí)測來看,雙層晶體管像素技術(shù)提升畫質(zhì)是相當(dāng)有效的,可不見得它能夠普及。我們知道芯片面積越大成本越高,堆棧式 CMOS 傳感器增加了至少一層硅片,相當(dāng)于增大了面積,導(dǎo)致成本上揚(yáng),結(jié)果至今只有蘋果和三星采用堆棧式傳感器,雙層晶體管像素堆疊式 CMOS 圖像傳感器使用三層硅片,成本大大飆升,恐怕連蘋果也不愿意使用,結(jié)果我們看到索尼 Xperia 1V 首發(fā)該傳感器局面。而且當(dāng)下是比拼紙面參數(shù)的年代,1 英寸傳感器聽起來比 1/1.35 英寸雙層晶體管像素堆疊式傳感器更為厲害,更容易吸引消費(fèi)者買單。

既然雙層晶體管像素技術(shù)成本更高,那單價(jià)更高、成本承受力更強(qiáng)的無反相機(jī)是否可率先普及呢?對此索尼官網(wǎng)上是把雙層晶體管像素技術(shù)列為 " 手機(jī)圖像傳感器 ",堆棧式卻是 " 圖像傳感器通用 "。無反相機(jī)傳感器尺寸更大,至少是 4/3 起,像素?cái)?shù)量也不如手機(jī)激進(jìn)(1.5 億像素 IMX411 可是 54*40mm 超大傳感器),單個像素更大,轉(zhuǎn)移像素晶體管收益不如手機(jī)傳感器明顯,而且傳感器越大,增加層數(shù)時會導(dǎo)致成本上漲更明顯,所以目前只有旗艦或是次旗艦相機(jī)才會使用堆棧傳感器,成本激增的雙層晶體管像素技術(shù)只能列為 " 手機(jī)圖像傳感器 "。雙層晶體管像素技術(shù)雖然好,但是普及是一件難事。

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責(zé)任編輯:hnmd003

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